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投資25.24億元,MACOM擴(kuò)建氮化鎵晶圓廠

2025-01-20 來(lái)源:國(guó)際電子商情
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關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 晶圓制造 技術(shù)升級(jí) 射頻廠商 美國(guó)

1月14日,美國(guó)射頻廠商MACOM宣布擬投資3.45億美元(折合人民幣約25.28億元),對(duì)其位于馬薩諸塞州和北卡羅來(lái)納州的半導(dǎo)體晶圓制造工廠進(jìn)行全面升級(jí)。

具體來(lái)看,公司馬薩諸塞州工廠將擴(kuò)建潔凈室,升級(jí)現(xiàn)有4英寸晶圓(涉及GaAs、GaN、硅和其他III-V材料)生產(chǎn)線,并引入先進(jìn)的6英寸碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)制造技術(shù)。

同時(shí),工廠的基礎(chǔ)設(shè)施,如暖通空調(diào)、水電及太陽(yáng)能系統(tǒng)也將全面升級(jí)。北卡羅來(lái)納州工廠則將重點(diǎn)提升6英寸晶圓生產(chǎn)能力,安裝先進(jìn)的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備,用以支持射頻碳化硅基氮化鎵(RF GaN-on-SiC)工藝的發(fā)展。

MACOM公司總裁兼首席執(zhí)行官 Stephen G. Daly 表示:“這項(xiàng)投資計(jì)劃不僅是對(duì)MACOM現(xiàn)有制造能力的升級(jí),更是對(duì)未來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的重大戰(zhàn)略布局。通過(guò)提升美國(guó)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造能力,公司能夠更好地服務(wù)客戶,推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新。”

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