SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）近日發(fā)布的《半導(dǎo)體設(shè)備年終預(yù)測(cè)——OEM視角》報(bào)告顯示，預(yù)計(jì)2025年全球半導(dǎo)體設(shè)備原始設(shè)備制造商（OEM）的半導(dǎo)體制造設(shè)備總銷售額將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的1330億美元，同比增長(zhǎng)13.7%。預(yù)計(jì)未來兩年半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額將繼續(xù)增長(zhǎng)，2026年和2027年分別達(dá)到1450億美元和1560億美元。這一增長(zhǎng)主要得益于人工智能相關(guān)投資的推動(dòng)，尤其是在尖端邏輯電路、存儲(chǔ)器以及先進(jìn)封裝技術(shù)的應(yīng)用方面。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售勢(shì)頭強(qiáng)勁，前端和后端領(lǐng)域預(yù)計(jì)都將連續(xù)三年增長(zhǎng)，最終在2027年實(shí)現(xiàn)總銷售額首次突破1500億美元大關(guān)。自我們年中預(yù)測(cè)以來，為支持人工智能需求而進(jìn)行的投資力度超出預(yù)期，因此我們上調(diào)了所有領(lǐng)域的展望。”

 

半導(dǎo)體設(shè)備銷售額（按細(xì)分市場(chǎng)劃分）

細(xì)分市場(chǎng)來看，SEMI指出，晶圓制造設(shè)備（WFE）領(lǐng)域去年創(chuàng)下1040億美元的銷售額紀(jì)錄后，預(yù)計(jì)到2025年將增長(zhǎng)11.0%，達(dá)到1157億美元。這一預(yù)測(cè)值較SEMI 2025年中期設(shè)備預(yù)測(cè)中的1108億美元有所上調(diào)，反映出為支持人工智能計(jì)算，DRAM和高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的投資力度超出預(yù)期。中國(guó)產(chǎn)能的持續(xù)增長(zhǎng)也顯著推動(dòng)了WFE需求。展望未來，隨著設(shè)備制造商加大對(duì)先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)技術(shù)的投入，預(yù)計(jì)WFE領(lǐng)域的銷售額將在2026年增長(zhǎng)9.0%，2027年增長(zhǎng)7.3%，達(dá)到1352億美元。

后端設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)將延續(xù)自2024年開始的強(qiáng)勁復(fù)蘇勢(shì)頭。半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的銷售額預(yù)計(jì)將在2025年飆升48.1%，達(dá)到112億美元，而封裝（A&P）設(shè)備的銷售額預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)19.6%，達(dá)到64億美元。后端設(shè)備市場(chǎng)的增長(zhǎng)勢(shì)頭預(yù)計(jì)將持續(xù)，測(cè)試設(shè)備的銷售額在2026年和2027年分別增長(zhǎng)12.0%和7.1%，封裝（A&P）設(shè)備的銷售額預(yù)計(jì)在2026年和2027年分別增長(zhǎng)9.2%和6.9%。

按應(yīng)用領(lǐng)域劃分的晶圓制造設(shè)備銷售

預(yù)計(jì)到2025年，晶圓代工和邏輯應(yīng)用領(lǐng)域的晶圓廠設(shè)備（WFE）銷售額將實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁的同比增長(zhǎng)，達(dá)到9.8%，規(guī)模達(dá)666億美元，這主要得益于先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。隨著芯片制造商增加人工智能加速器、高性能計(jì)算和高端移動(dòng)處理器的產(chǎn)能，預(yù)計(jì)該領(lǐng)域在2026年將增長(zhǎng)5.5%，并在2027年增長(zhǎng)6.9%，達(dá)到752億美元。隨著行業(yè)向2納米環(huán)柵（GAA）制程節(jié)點(diǎn)的大規(guī)模量產(chǎn)轉(zhuǎn)型，投資將日益集中于前沿技術(shù)。

受人工智能部署和持續(xù)技術(shù)遷移對(duì)HBM需求增長(zhǎng)的推動(dòng)，預(yù)計(jì)到2027年，與存儲(chǔ)器相關(guān)的資本支出將顯著增長(zhǎng)。NAND閃存設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)在2025年增長(zhǎng)45.4%至140億美元，并在2026年進(jìn)一步增長(zhǎng)12.7%至157億美元，2027年增長(zhǎng)7.3%至169億美元，這主要得益于3D NAND堆疊技術(shù)的進(jìn)步以及領(lǐng)先層和主流層產(chǎn)能的擴(kuò)張。DRAM設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)在2025年增長(zhǎng)15.4%至225億美元，隨后在2026年和2027年分別同比增長(zhǎng)15.1%和7.8%，這主要得益于存儲(chǔ)器供應(yīng)商提高HBM產(chǎn)能并升級(jí)到更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)，以滿足人工智能和數(shù)據(jù)中心的需求。

按地區(qū)劃分的半導(dǎo)體設(shè)備銷售額

SEMI預(yù)計(jì)到2027年，中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)仍將是設(shè)備支出排名前三的地區(qū)。中國(guó)大陸預(yù)計(jì)將在預(yù)測(cè)期內(nèi)保持領(lǐng)先地位，因?yàn)閲?guó)內(nèi)芯片制造商將繼續(xù)投資于成熟工藝和部分先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)，雖然從2026年起增長(zhǎng)放緩，銷售額逐步下降。在中國(guó)臺(tái)灣，2025年的強(qiáng)勁支出反映了其在人工智能和高性能計(jì)算領(lǐng)域大規(guī)模建設(shè)前沿產(chǎn)能，而韓國(guó)的設(shè)備支出則得益于對(duì)包括HBM在內(nèi)的先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)的巨額投資。在政府激勵(lì)措施、區(qū)域化舉措和有針對(duì)性的專業(yè)產(chǎn)能擴(kuò)張的支持下，預(yù)計(jì)所有其他地區(qū)的設(shè)備支出在2026年和2027年都將有所增長(zhǎng)。（校對(duì)/趙月）