LDO 應(yīng)用全解析：從選型到散熱，搞定高紋波需求

在對(duì)電源紋波要求嚴(yán)苛的項(xiàng)目中（如精密儀器、傳感器模塊、射頻電路等），低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）憑借 “輸出紋波低、電路簡(jiǎn)單、成本可控” 的優(yōu)勢(shì)，始終是工程師的首選方案。但 LDO 有個(gè)致命痛點(diǎn) ——壓差大、電流高時(shí)發(fā)熱量劇增，甚至燙手到影響電路穩(wěn)定性，成為項(xiàng)目落地的 “絆腳石”。本文從 LDO 核心原理入手，拆解選型要點(diǎn)、溫升根源，并提供 8 大降熱方案，幫你徹底解決 LDO 應(yīng)用中的 “熱難題”！

一、先搞懂：為什么 LDO 是高紋波項(xiàng)目的 “最優(yōu)解”？

在電源方案選擇中，DC-DC 轉(zhuǎn)換器（開關(guān)電源）雖效率高，但開關(guān)過(guò)程會(huì)產(chǎn)生高頻噪聲和紋波（通常幾十到幾百 mV）；而 LDO 通過(guò)線性調(diào)節(jié)功率管壓降實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓，輸出紋波可低至幾十 μV（部分高精度 LDO 甚至＜10μV），完美適配以下場(chǎng)景：

• 精密模擬電路：如傳感器信號(hào)采集（溫度、壓力傳感器）、運(yùn)放電路，紋波過(guò)大會(huì)導(dǎo)致信號(hào)失真。

• 射頻與通信模塊：如藍(lán)牙、Wi-Fi 芯片，電源紋波會(huì)干擾射頻信號(hào)，影響通信距離和穩(wěn)定性。

• 微處理器核心供電：如 MCU、FPGA 的內(nèi)核電壓（如 1.8V、2.5V），需超低紋波保證芯片穩(wěn)定運(yùn)行。

簡(jiǎn)言之，當(dāng)項(xiàng)目對(duì) “紋波抑制比（PSRR）” 要求＞60dB（尤其是低頻段），且功率不大（通常＜5W）時(shí)，LDO 是無(wú)可替代的選擇。

二、LDO “燙手” 根源：從溫升公式看懂核心矛盾

LDO 發(fā)熱的本質(zhì)是 “能量損耗轉(zhuǎn)化為熱量”，核心可通過(guò)溫升公式量化：ΔT=P×Rth
其中：

• ΔT：LDO 的溫升（結(jié)溫與環(huán)境溫度的差值，單位℃），溫升越高，器件越容易因過(guò)熱保護(hù)停機(jī)，甚至燒毀。

• P：LDO 的功率損耗（單位 W），計(jì)算公式為P=(Vin?Vout)×Iout（Vin為輸入電壓，Vout為輸出電壓，Iout為輸出電流）。

• Rth：LDO 的熱阻（單位℃/W），由器件封裝、散熱條件決定，熱阻越小，熱量越容易散發(fā)。

從公式可直接看出：LDO 發(fā)熱的核心矛盾是 “壓差（Vin?Vout）” 和 “輸出電流（Iout）”。例如：

• 當(dāng)Vin=12V、Vout=3.3V、Iout=1A時(shí)，P=(12?3.3)×1=8.7W，若 LDO 熱阻℃，溫升℃，遠(yuǎn)超器件結(jié)溫上限（通常 125~150℃），必然 “燙手”。

• 當(dāng)Vin=5V、Vout=3.3V、Iout=0.5A時(shí)，P=(5?3.3)×0.5=0.85W，即使熱阻℃，溫升僅 42.5℃，觸摸僅微熱。

因此，降低 LDO 發(fā)熱量，本質(zhì)是 “減小功率損耗P” 或 “降低熱阻Rth”，具體可從 8 個(gè)維度落地。

三、LDO 選型：3 個(gè)關(guān)鍵參數(shù)決定 “先天發(fā)熱潛力”

選對(duì) LDO，能從源頭減少發(fā)熱風(fēng)險(xiǎn)，重點(diǎn)關(guān)注以下 3 個(gè)參數(shù)：

1. 壓差（VDO）：優(yōu)先選 “低壓差” 型號(hào)

LDO 的壓差（VDO）指 “維持穩(wěn)定輸出時(shí)，輸入與輸出的最小電壓差”。例如，某 LDO 的VDO=0.3V，意味著當(dāng)Vout=3.3V時(shí)，Vin最低只需 3.6V 即可穩(wěn)定工作。

• 優(yōu)勢(shì)：低壓差型號(hào)可縮小實(shí)際應(yīng)用中的Vin?Vout（如輸入 4V、輸出 3.3V，壓差僅 0.7V），直接降低功率損耗P。

• 選型建議：根據(jù)輸入電壓波動(dòng)范圍選擇，若Vin穩(wěn)定（如 5V±0.2V），可選VDO=0.2 0.5V的低壓差 LDO（如 TI 的 TPS7A4700、ADI 的 ADP1765）；若Vin波動(dòng)大（如 7~12V），需預(yù)留 0.5~1V 壓差余量，避免 LDO 進(jìn)入非穩(wěn)壓區(qū)。

2. 輸出電流（Iout(max)）：“留有余量” 但不盲目選大

LDO 的最大輸出電流需略大于項(xiàng)目實(shí)際最大負(fù)載電流（建議預(yù)留 20%~30% 余量），但并非越大越好。

• 誤區(qū)：選 10A 大電流 LDO 驅(qū)動(dòng) 1A 負(fù)載，看似 “冗余充足”，但大電流 LDO 的功率管面積更大，寄生電阻更高，輕載時(shí)效率反而更低，且封裝通常更大（如 TO-263），增加 PCB 布局難度。

• 選型建議：實(shí)際負(fù)載電流 0.8A，選 1A 最大輸出電流的 LDO（如 AMS1117-3.3V，Iout(max)=1A）即可，兼顧效率與成本。

3. 熱阻（Rth(JA)）：優(yōu)先選 “低熱阻” 封裝

LDO 的熱阻Rth(JA)（結(jié)到環(huán)境的熱阻）直接決定散熱能力，相同功率損耗下，熱阻越小，溫升越低。

• 封裝與熱阻對(duì)應(yīng)關(guān)系（參考）：

  封裝類型

  典型熱阻Rth(JA)（℃/W）

  適用場(chǎng)景

  SOT-23	150~200	小電流（＜0.5A）、小體積場(chǎng)景
  SOT-223	80~120	中電流（0.5~1A）、貼片布局
  TO-220（插件）	30~50	大電流（＞1A）、允許插件場(chǎng)景
  DFN（裸露焊盤）	40~80	中高電流、貼片且需散熱場(chǎng)景

• 選型建議：功率損耗＞時(shí)，優(yōu)先選 TO-220、DFN 等低熱阻封裝；＜時(shí)，SOT-23/SOT-223 即可滿足需求。

四、8 大降熱方案：從設(shè)計(jì)到布局，徹底解決 LDO “燙手”

若選型后 LDO 仍發(fā)熱嚴(yán)重（如溫升＞80℃），可通過(guò)以下 8 種方法針對(duì)性優(yōu)化，按 “成本從低到高、效果從優(yōu)到劣” 排序：

1. 核心方案：縮小輸入輸出壓差（推薦優(yōu)先嘗試）

這是最直接降低功率損耗P的方法，目標(biāo)是將Vin?Vout控制在1~2V范圍內(nèi)：

• 例 1：原方案Vin=12V、Vout=3.3V（壓差 8.7V），可在 LDO 前加一級(jí) “預(yù)穩(wěn)壓”（如用 DC-DC 將 12V 降至 5V，再給 LDO 輸入 5V），此時(shí)壓差僅 1.7V，功率損耗從 8.7W 降至 0.85W（Iout=0.5A），溫升大幅降低。

• 例 2：若輸入電壓穩(wěn)定（如電池供電），直接選擇與輸出電壓匹配的輸入電源（如輸出 3.3V，選 4.5~5V 輸入，而非 12V）。

注意：縮小壓差時(shí)，需確保Vin最低值＞Vout+VDO（如 LDOVDO=0.3V，Vout=3.3V，則Vin最低需 3.6V），避免 LDO 無(wú)法穩(wěn)壓。

2. 基礎(chǔ)方案：強(qiáng)化 PCB 散熱（零成本優(yōu)化）

PCB 布局是貼片 LDO 散熱的關(guān)鍵，尤其當(dāng)板子尺寸有限，無(wú)法加散熱片時(shí)：

• 給 LDO “單獨(dú)鋪銅”：在 LDO 封裝（尤其是裸露焊盤的 DFN、SOT-223 封裝）下方鋪一塊 2~5cm2 的銅皮，銅皮厚度≥2oz（70μm），增強(qiáng)熱量傳導(dǎo)。

• 增加散熱過(guò)孔：在 LDO 銅皮區(qū)域打 4~8 個(gè)過(guò)孔（孔徑 0.3~0.5mm），連通 PCB 內(nèi)層或底層地平面，將熱量傳導(dǎo)到整個(gè) PCB（類似 “熱擴(kuò)散器”）。

• 遠(yuǎn)離高發(fā)熱器件：LDO 布局避開開關(guān)電源、功率管、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等器件（距離≥5mm），避免被熱輻射 “二次加熱”。

3. 進(jìn)階方案：加散熱片 / 選插件封裝（中低成本）

• 貼片 LDO 加散熱片：SOT-223、DFN 封裝的 LDO，可搭配小型散熱片（如尺寸 10×10×5mm，成本 0.5~1 元），通過(guò)導(dǎo)熱墊貼在 LDO 表面，熱阻可降低 30%~50%。

• 改用插件封裝：若 PCB 有空間，將 SOT-223 貼片 LDO 換成 TO-220 插件 LDO，再搭配散熱片（如 TO-220 專用鋁制散熱片），熱阻可從 80℃/W 降至 30℃/W 以下，適合大電流（＞1A）場(chǎng)景。

4. 限流方案：降低輸出電流或采用多級(jí) LDO

• 降低負(fù)載電流：若實(shí)際負(fù)載電流可優(yōu)化（如通過(guò)軟件降低 MCU 運(yùn)行頻率、減少外設(shè)功耗），從 1A 降至 0.5A，功率損耗直接減半。

• 多級(jí) LDO 分壓：大電流場(chǎng)景（如Iout=2A），可將單級(jí) LDO 改為兩級(jí)：第一級(jí) LDO 將Vin=12V降至 5V（Iout=2A，P=(12?5)×2=14W），第二級(jí) LDO 將 5V 降至 3.3V（Iout=2A，P=(5?3.3)×2=3.4W），總功率損耗 17.4W，但若用單級(jí) LDO，P=(12?3.3)×2=17.4W，看似總損耗相同，但兩級(jí) LDO 可分散發(fā)熱點(diǎn)，避免單點(diǎn)過(guò)熱。

5. 擴(kuò)流方案：用三極管擴(kuò)展電流，減輕 LDO 負(fù)擔(dān)

當(dāng)負(fù)載電流超過(guò) LDO 最大輸出電流（如 LDOIout(max)=1A，實(shí)際需 2A），可通過(guò)PNP 三極管擴(kuò)展電流，讓三極管承擔(dān)大部分電流，LDO 僅提供基極驅(qū)動(dòng)電流：

• 電路原理：LDO 輸出接 PNP 三極管基極，三極管發(fā)射極接輸入電壓Vin，集電極接負(fù)載；當(dāng)負(fù)載電流增大時(shí)，三極管導(dǎo)通，分流大部分電流，LDO 電流僅為基極電流（Ib=Ic/β，β 為三極管電流放大倍數(shù)，通常 50~100）。

• 選型建議：三極管選用功率型（如 2N2907，Ic(max)=2A），并給三極管加小型散熱片（避免三極管過(guò)熱）。

6. 分壓方案：串電阻 / 二極管分擔(dān)壓差

在 LDO 輸入側(cè)串入電阻或二極管，幫助分擔(dān)部分壓差，降低 LDO 的Vin?Vout：

• 串電阻：根據(jù)Iout選擇電阻阻值（R=(Vin?VLDO(in))/Iout），例：Vin=12V，需將 LDO 輸入降至 5V，Iout=0.5A，則R=(12?5)/0.5=14Ω，功率P=I2R=0.52×14=3.5W，需選 2W 以上功率電阻（如水泥電阻、合金電阻）。

• 串二極管：利用二極管正向壓降（硅管約 0.7V，肖特基管約 0.3V）分壓，例：串 2 個(gè)硅二極管，可分擔(dān) 1.4V 壓差，LDO 輸入電壓降低 1.4V，但需注意二極管電流容量（選＞的型號(hào)，如 1N4007，IF(max)=1A）。

注意：串電阻會(huì)導(dǎo)致負(fù)載電流變化時(shí)，LDO 輸入電壓波動(dòng)（電流增大，電阻壓降增大，LDO 輸入降低），需確保波動(dòng)后＞；串二極管則無(wú)此問(wèn)題，但需考慮二極管發(fā)熱。

7. 主動(dòng)散熱：風(fēng)冷散熱（高成本，萬(wàn)不得已才用）

當(dāng)上述方案均無(wú)法滿足（如＞，且 PCB 空間有限），可采用風(fēng)冷散熱：

• 方案：在 LDO 散熱片旁加裝小型軸流風(fēng)扇（如 40×40×10mm，電壓 5V/12V，轉(zhuǎn)速 3000~5000RPM），通過(guò)強(qiáng)制對(duì)流帶走熱量，可使 LDO 溫升降低 40%~60%。

• 局限：增加成本（風(fēng)扇 + 驅(qū)動(dòng)電路約 5~10 元）、噪音和功耗，僅適合工業(yè)設(shè)備、戶外設(shè)備等對(duì)成本不敏感的場(chǎng)景。

8. 終極方案：LDO+DC-DC 組合（兼顧低紋波與高效率）

這是 “魚與熊掌兼得” 的方案：用 DC-DC 實(shí)現(xiàn)高效預(yù)穩(wěn)壓（降低輸入電壓，減小壓差），用 LDO 實(shí)現(xiàn)低紋波輸出，適合高壓差、大電流且高紋波要求的場(chǎng)景（如Vin=24V、Vout=3.3V、Iout=2A）：

• 具體方案：DC-DC（如 MP2307）將 24V 降至 5V（效率 85%，PDC?DC=(24?5)×2?(5×2)/0.85≈10.5W），LDO（如 TPS7A4700）將 5V 降至 3.3V（PLDO=(5?3.3)×2=3.4W），總功率損耗 13.9W，遠(yuǎn)低于單級(jí) LDO 的P=(24?3.3)×2=41.4W，且輸出紋波可控制在 20μV 以內(nèi)。

• 
  

五、實(shí)戰(zhàn)案例：從 “燙手” 到 “常溫” 的優(yōu)化過(guò)程

某傳感器模塊項(xiàng)目，原方案：Vin=12V，LDO 選用 AMS1117-3.3V（SOT-223 封裝，VDO=1.5V，℃），Iout=0.8A。

• 原方案發(fā)熱：P=(12?3.3)×0.8=6.96W，溫升℃，LDO 瞬間燙手，觸發(fā)過(guò)熱保護(hù)。

優(yōu)化步驟：

1. 第一步（縮小壓差）：加 DC-DC 預(yù)穩(wěn)壓，將 12V 降至 5V（選用 MP2307，效率 85%）。

2. 第二步（優(yōu)化 LDO 選型）：將 AMS1117 換成 TPS7A4700（VDO=0.3V，SOT-223 封裝，℃）。

3. 第三步（PCB 散熱）：TPS7A4700 下方鋪 3cm2 銅皮，打 4 個(gè)散熱過(guò)孔。

優(yōu)化后：

• P=(5?3.3)×0.8=1.36W，溫升℃（環(huán)境溫度 25℃時(shí)，結(jié)溫 134℃，接近但未超上限）。

• 額外優(yōu)化（加散熱片）：給 TPS7A4700 貼 10×10×5mm 散熱片，熱阻降至 50℃/W，溫升℃，觸摸僅微熱，穩(wěn)定運(yùn)行。

六、總結(jié)：LDO 應(yīng)用 “避坑” 核心邏輯

LDO 的應(yīng)用關(guān)鍵，是 “在低紋波需求與低發(fā)熱之間找到平衡”，核心邏輯可總結(jié)為：

1. 選型優(yōu)先：按 “低壓差、低熱阻、匹配電流” 選 LDO，從源頭減少發(fā)熱潛力。

2. 壓差為王：盡量將Vin?Vout控制在 1~2V，無(wú)法實(shí)現(xiàn)時(shí)用 DC-DC 預(yù)穩(wěn)壓。

3. 散熱兜底：PCB 鋪銅 + 過(guò)孔是基礎(chǔ)，大電流加散熱片，極端場(chǎng)景用 LDO+DC-DC 組合。

只要掌握這些要點(diǎn)，即使在高壓差、大電流場(chǎng)景中，也能讓 LDO “冷靜工作”，既滿足高紋波項(xiàng)目的嚴(yán)苛要求，又避免 “燙手” 難題。

七、網(wǎng)址：www.baitaishengshi.com