韓國正加大對下一代功率半導體的政策支持力度，這是其加強國內芯片制造、減少對海外供應商依賴的更廣泛舉措的一部分。韓國本土晶圓代工廠正加速碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）器件的商業化進程。

韓國政府計劃于1月正式成立功率半導體專項工作組，這標志著韓國將更加重視用于電動汽車、可再生能源系統和工業設備的高效芯片。作為這項舉措的一部分，SiC碳化硅功率半導體技術極有可能被指定為國家戰略技術，此舉將帶來稅收優惠、補貼和監管支持。這一前景促使該計劃的核心企業之一SK Keyfoundry加快其生產進度，并正在積極準備，爭取最早于2026年第一季度開始量產SiC功率器件。該公司即將完成1200V SiC MOSFET的研發，該產品是高壓應用的關鍵產品。

基于GaN的功率半導體也在朝著商業化方向發展。DB HiTek已完成650V GaN工藝的研發，目前正向無晶圓廠芯片設計商提供GaN多項目晶圓，并計劃在年內實現實質性的量產。為了滿足預期的需求增長，DB HiTek正在擴建忠清北道園區潔凈室，增加GaN和SiC器件的產能。擴建完成后，該公司8英寸晶圓的月產能將提升約23%。

這項最新的政策舉措建立在政府此前為提升韓國非存儲半導體能力所做的努力之上。2025年12月，韓國考慮以4.5萬億韓元的公私合營投資建設一家專注于關鍵芯片和傳統芯片（包括汽車和國防相關半導體）的本土晶圓代工廠。該計劃反映出韓國政府擔憂，盡管憑借三星電子和SK海力士在存儲芯片領域占據主導地位，但在邏輯芯片和特種芯片制造方面卻落后于中國臺灣和美國。韓國政府還討論了優先采購國產芯片用于國家安全基礎設施建設，并成立總統級半導體委員會來協調相關政策。

產業投資也與這些政策信號同步推進。SK Keyfoundry通過2025年收購SK Powertech，增強了其SiC制造能力，獲得了工藝和器件設計方面的專業知識，從而增強了技術自主性。與此同時，DB HiTek早在2022年就開始投資GaN和SiC技術，將化合物半導體定位為長期增長引擎。（校對/趙月）