存儲廠與大客戶簽訂的長期供貨合約（LTA），已由過去“鎖價又鎖量”，轉為以“鎖量、不鎖價”為主流架構。新類型長期供貨合約的核心，在于確保產能優先順序與出貨穩定性，但價格仍隨市況浮動，保留報價彈性空間。

供應鏈指出，華邦電、南亞科目前對外簽訂的LTA，多為鎖量不鎖價，年期由一年期拉長至至少兩年起跳，部分大客戶甚至談到接近2030年的長期合作框架。產業人士直言，LTA能替供應商帶來最低獲利保障與產能利用率穩定度，但在不鎖價前提下，毛利率天花板同樣被鎖死，屬于“不會虧，但也賺不大”。

法人指出，2026年DRAM供需緊俏格局可望延續至年底，DDR4價格高檔時間明顯拉長。隨著一線存儲廠持續將產能轉向高頻寬存儲（HBM）與先進制程，一般型DRAM新增供給受限，成熟制程DRAM的結構性吃緊態勢短期難解。

市場預期，2026年HBM整體市場產值將年增57％，位元出貨年增68％，HBM投片量占整體DRAM供給比重達23％，對一般型DRAM形成明顯排擠效應，進一步壓縮可用產能。

需求端方面，AI與服務器仍為主要增長動能。2026年Server相關DRAM位元需求占比將達47％，其中，AI Server DRAM需求已接近整體Server DRAM的34％，顯示AI持續重塑存儲需求結構，并推升高端產品比重。

價格走勢方面，產業界人士認為，DRAM供需緊俏將維持至2026年底，Server DRAM供需差預估達15％，有助支撐報價高檔運行。2027年隨新增供給逐步浮現，產業將從“極度緊俏”走向“結構性再平衡”。

在終端產品影響上，存儲漲價對AI Server成本影響相對輕微，但對General Server、PC與Smartphone衝擊較大。市場估算，若DRAM／NAND漲價10％，對整機價格影響約為：AI Server0.4％、Server2.7％～5.5％、PC2％～2.3％、Smartphone0.7％～1.3％。

展望后市，隨2026年價格循環仍處高檔、HBM排擠效應延續，以及2027年潛在新增供給逐步浮現，DRAM產業將迎來結構性轉折，供需再平衡拐點極可能落在2027年。