在電機驅動系統中，功率MOSFET的失效往往并非由正常持續運行引起，而是發生在啟動、堵轉或突然反轉等瞬態情況下。此時，數倍于正常工作電流的浪涌沖擊會瞬間施加于器件，若選擇不當，極易導致器件擊穿或過熱燒毀。如何確保MOSFET在極端瞬態下仍能可靠工作，成為電機驅動設計的關鍵。合科泰從抗浪涌設計和安全工作區驗證的角度，分析MOSFET選型中需重點關注的技術參數，并通過典型應用說明如何結合器件特性實現可靠設計。

浪涌電流的來源與應力特點

電機作為電感類負載，其瞬態行為主要由機械負載突變引起：

• 啟動沖擊：電機從靜止加速到額定轉速的過程中，轉子電流遠大于額定值，持續時間可達數十至數百毫秒。

• 堵轉工況：當電機轉子被卡住時，電流持續維持在峰值，產生明顯的熱量積累。

• 反向制動：電機突然反轉時，反電動勢（電機自身發電產生的電壓）與母線電壓疊加，形成高壓大電流沖擊。

• 關斷過壓：電機關斷時，電流快速變化會在電路寄生電感上產生電壓尖峰，可能超過MOSFET的耐壓極限。

上述工況要求MOSFET不僅能在短時間內承受高電流，還需耐受對應的電壓壓力。因此，選型時不能僅依據額定電流和電壓，必須深入分析瞬態工作點是否位于器件的安全工作區內。

關鍵選型參數與設計考量

1.耐壓與瞬態過壓抑制

MOSFET的漏源極間耐壓需留有充足余量，以涵蓋電網波動、反電動勢和關斷尖峰。工程上建議按以下方式估算所需耐壓：

所需耐壓=最大母線電壓×安全系數+關斷尖峰電壓

其中安全系數通常取1.5，關斷尖峰為實測或估算值。對于220V交流輸入系統（整流后約310V），需選擇500V以上耐壓器件；380V工業系統（約540V）則需600V或650V器件。同時，需結合器件承受過壓沖擊的能力來評估對瞬態過壓的耐受性。

2.導通電阻與損耗權衡

導通損耗由工作電流、導通電阻和溫度系數共同決定。導通電阻隨溫度升高而增大，高溫下損耗會更明顯。較低的導通電阻可降低導通損耗，但往往帶來更高的柵極驅動電荷和成本。對于頻繁啟停的電機，開關損耗可能占主導，需在導通損耗與開關損耗間取得平衡。對于更高效率、更高頻率的先進電機驅動，業界也開始采用碳化硅（SiC）MOSFET等第三代半導體器件，以進一步降低開關損耗并提升功率密度。

3.安全工作區驗證

安全工作區曲線描繪了MOSFET在不同電壓-電流組合下的安全工作時間。電機驅動中需重點驗證以下三個瞬態點：

• 啟動點：高電流（約5~10倍額定）、持續時間約100ms。

• 堵轉點：持續大電流，要求安全工作區與散熱設計共同保證。

• 短路點：極短時間內極高電流密度，需驗證短時脈沖耐受能力。

• 驗證方法：在器件手冊的安全工作區曲線中標出實際工況的最大電壓-電流點，確保該點位于對應脈沖寬度的曲線下方。若為重復脈沖，還需考慮熱量累積效應。

4.雪崩能量（EAS）

電機關斷時，存儲在電感中的能量將通過MOSFET的雪崩效應耗散。單次過壓沖擊能量必須大于實際關斷能量；重復沖擊則需結合開關頻率和散熱條件校核。器件的過壓耐受能力與芯片設計和封裝工藝密切相關，選型時應優先選擇明確標注此參數且留有裕量的產品。

5.柵極驅動電荷與驅動設計

開關損耗與柵極驅動電荷相關。如伺服電機的高頻應用需選擇柵極驅動電荷低的器件以降低開關損耗，同時根據此參數計算所需驅動電流，并確保驅動芯片能提供足夠的峰值電流。此外，驅動回路應盡量縮短以減小寄生電感，防止柵極控制信號振蕩。

總結

電機驅動中MOSFET的選型需從瞬態工況出發，重點關注耐壓余量、安全工作區驗證、雪崩能量（EAS）及驅動匹配。設計流程可歸納為：

• 計算最大電壓應力并選擇合適耐壓等級

• 標定啟動、堵轉、短路等瞬態工作點，驗證安全工作區

• 校核雪崩能量（EAS）是否滿足感性負載關斷要求

• 根據開關頻率和柵極驅動電荷優化驅動電路

實際工程中，建議通過雙脈沖測試和熱循環實驗進一步驗證設計余量，確保系統在惡劣工況下的長期可靠性。合科泰提供的系列功率MOSFET，通過嚴格的可靠性測試，為電機驅動系統應對極端瞬態工況提供了堅實的硬件基礎。