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NTD4858N_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/80.0A 參數(shù)4:RDON/5.0mR 標價:歡迎咨詢

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產品介紹

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NTD4858N 是一款高性能N溝道MOSFET,采用標準TO-252-2L封裝,適合于廣泛的電源管理和功率轉換應用。它具備30V的最大漏源電壓VDSS,并能承載高達80A的連續(xù)漏極電流ID,確保在高功率狀態(tài)下穩(wěn)定運行。此外,該器件的核心優(yōu)勢在于其超低的導通電阻RD(on)僅為5.5mΩ,有效減小系統(tǒng)功耗,提升整體效率。NTD4858N MOS管是電機驅動、開關電源及其他大電流場景的理想選擇,以其卓越性能助力實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路設計。

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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
  • 高新企業(yè)

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