SUD19P06-60-GE3_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買(mǎi)>-------
SUD19P06-60-GE3 P溝道MOS管采用TO-252-2L封裝，面向中高電壓應(yīng)用市場(chǎng)。該器件具有60V的漏源擊穿電壓(VDSS)，能夠持續(xù)提供30A的漏極電流(ID)，保障在多種電源轉(zhuǎn)換與控制場(chǎng)景下的穩(wěn)定運(yùn)行。其導(dǎo)通電阻RD(on)為48mΩ，在滿足大多數(shù)常規(guī)應(yīng)用需求的同時(shí)，兼顧了成本與效能。適用范圍包括電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、適配器設(shè)計(jì)等，是尋找經(jīng)濟(jì)實(shí)用解決方案的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
