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RD3P050SNTL1_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/100.0V 參數(shù)3:ID/15.0A 參數(shù)4:RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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RD3P050SNTL1 N溝道MOS管,采用TO-252-2L封裝,針對(duì)100V高電壓下的中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件提供高達(dá)100V的漏源電壓(VDSS)和15A的連續(xù)漏極電流(ID),在高壓環(huán)境中表現(xiàn)出色。盡管其導(dǎo)通電阻RD(on)為100mR,但依舊能在適當(dāng)?shù)碾娏骷?jí)別上確保穩(wěn)定和有效的功率傳輸。廣泛適用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域,是兼具性能與經(jīng)濟(jì)效益的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體元件。



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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
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