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BSZ0904NSI_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

BSZ0904NSI 是一款高強(qiáng)度N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，特別適應(yīng)于高密度電子產(chǎn)品的布局需求。其核心技術(shù)指標(biāo)包括最大漏源電壓(VDSS)達(dá)到30V，峰值漏極電流(ID)高達(dá)100A，顯示出超強(qiáng)電流處理能力；而優(yōu)異的導(dǎo)通電阻僅為4mΩ(RD(on))，確保在大電流工作狀態(tài)下的低損耗性能。此款MOS管非常適合應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、快速充電、大電流開(kāi)關(guān)控制等對(duì)效率和穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的領(lǐng)域。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話(huà)：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

BSZ0904NSI_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)