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DMG6968UDM_SOT-23-6L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:SOT-23-6L 類(lèi)別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤(pán) 參數(shù)1:N+N溝道 參數(shù)2:VDSS/20.0V 參數(shù)3:ID/7.0A 參數(shù)4:RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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DMG6968UDM NN溝道MOSFET采用經(jīng)濟(jì)高效的SOT-23-6L封裝,適合現(xiàn)代高密度電子設(shè)計(jì)。該器件支持最大工作電壓20V(VDSS),并能穩(wěn)定處理高達(dá)7A的連續(xù)漏極電流(ID),在同類(lèi)產(chǎn)品中表現(xiàn)出卓越的電流承載能力。其出眾的導(dǎo)通電阻僅為14mR(RD(on)),有效降低功率損耗,提升系統(tǒng)整體能效。廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、以及多種高電流、低阻抗需求的場(chǎng)合。



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  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
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