FFSM0865A-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IO:8A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.42V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式器件，額定平均正向整流電流為8A，反向重復峰值電壓達650V，可承受較高的電壓應力。其正向導通壓降為1.42V，在同類器件中表現優異，有助于減少功率損耗。采用碳化硅材料，具備出色的反向恢復特性與高溫穩定性，適用于高頻率、高效率的電力轉換電路，如開關模式電源、不間斷電源系統、光伏逆變裝置及高功率密度適配器等，能夠提升系統整體能效并優化熱設計。
