C6D10065Q-TR-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IO:10A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.37V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式器件，具備10A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降（VF）低至1.37V。采用碳化硅材料，具有優異的熱穩定性和高頻開關特性，反向恢復時間極短，漏電流小。該器件適用于高密度電源系統，如高效能電源適配器、服務器電源模塊及可再生能源逆變裝置，能夠在高溫與高頻環境下保持穩定運行，有效降低系統能量損耗，提升轉換效率，同時有助于減小外圍無源元件的體積與整體散熱需求。
