C6D08065Q-TR-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IO:8A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式結構，具備8A的正向平均電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），在額定工況下正向壓降（VF）僅為1.3V。基于碳化硅材料的物理特性，器件具有極低的反向恢復電荷和出色的高溫穩定性，支持高頻開關操作。其低導通損耗與快速恢復特性使其適用于高效能電源轉換系統，如服務器電源、通信設備供電單元、可再生能源逆變裝置及高功率密度適配器等，有助于提升系統能效、減少熱耗散并簡化散熱設計，滿足對可靠性和功率密度有較高要求的電力電子應用。
