SIC1060PL8-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IO:10A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.37V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式器件，具有10A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），適用于中高電壓功率轉換場景。其正向導通壓降（VF）典型值為1.37V，在同類器件中表現出較低的導通損耗，有助于提升系統能效。基于碳化硅材料特性，該二極管具備快速開關響應和優良的熱導性能，可支持高頻工作模式。廣泛應用于高效率電源轉換裝置、不間斷電源系統、可再生能源發電設備以及高密度開關電源模塊，滿足對小型化、高效化電路設計的需求。
