SIC0860PL8-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IO:8A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.42V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備8A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），在高頻開關條件下表現出優異的導通能力與耐壓性能。其正向壓降（VF）低至1.42V，有助于降低導通損耗，提升系統整體能效。器件利用碳化硅材料的特性，具備快速恢復速度和良好的熱穩定性，適用于高頻率、高效率的電源轉換設計。典型應用場景包括開關模式電源、DC-DC轉換器及功率因數校正電路，適合對功率密度和轉換效率有較高要求的電子設備。
