IDL08G65C5-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IO:8A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.42V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式器件，額定正向電流（IF）為8A，反向重復峰值電壓（VR）達650V，適用于中等功率的電力轉換應用。其正向壓降（VF）典型值為1.42V，具有較低的導通損耗，有助于提升系統能效。基于碳化硅材料的特性，該器件具備優異的高頻開關性能和良好的熱導率，反向恢復電荷小，可減少開關過程中的能量損耗。廣泛應用于高效開關電源、可再生能源發電系統的逆變模塊、儲能設備中的整流電路以及對能效和功率密度要求較高的電力電子裝置。
