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HIDW10G120C5B_TO-247_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：碳化硅二極管最小包裝：30/管裝參數(shù)1：電流IO:10A 參數(shù)2：電壓VR:1200V 參數(shù)3：壓降VF:1.4V 參數(shù)4：反向電流IR:150uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

這款碳化硅二極管具有10安培的正向電流（IF/A），能夠在高達(dá)1200伏特的反向電壓（VR/V）下穩(wěn)定工作。其較低的正向電壓降（VF/V）僅為1.4伏特，在確保效率的同時(shí)減少了能量損耗。該二極管在反向偏置條件下展示出良好的絕緣性能，漏電流（IR/uA）不超過(guò)150微安。此外，瞬態(tài)條件下，最大正向浪涌電流（IFSM/A）可達(dá)46安培，表明了其在承受短時(shí)過(guò)載電流方面的能力。這些特性使得此元件適用于需要高效率及可靠性的多種電路設(shè)計(jì)中。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

HIDW10G120C5B_TO-247_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：碳化硅二極管 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IO:10A 參數(shù)2：電壓VR:1200V 參數(shù)3：壓降VF:1.4V 參數(shù)4：反向電流IR:150uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：碳化硅二極管最小包裝：30/管裝參數(shù)1：電流IO:10A 參數(shù)2：電壓VR:1200V 參數(shù)3：壓降VF:1.4V 參數(shù)4：反向電流IR:150uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)