HC6D10065E_TO-252-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流IO:10A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管具有10安培的最大正向電流（IF/A），并且能夠承受650伏特的最高反向電壓（VR/V）。其正向電壓降（VF/V）為1.3伏特，有助于在導通期間保持低能耗。在反向偏置條件下，漏電流（IR/uA）維持在50微安水平，確保了高阻斷性能。此外，該二極管支持高達80安培的瞬態浪涌電流（IFSM/A），增強了其應對短時電流尖峰的能力。這些特點使其成為高頻開關電源和逆變技術等要求嚴苛應用的理想選擇，適用于追求高性能與可靠性的電子設計方案。
