HFFSB10120A_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流IO:10A 參數2：電壓VR:1200V 參數3：壓降VF:1.4V 參數4：反向電流IR:100uA 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該款碳化硅二極管擁有10安培的正向電流（IF/A）承載能力，以及高達1200伏特的反向耐壓值（VR/V），適用于需要高電壓穩定性的電路設計。其正向電壓降（VF/V）為1.4伏特，有助于提升系統效率。在反向狀態下，該二極管的漏電流（IR/uA）不大于100微安，顯示了良好的阻斷性能。此外，其瞬態正向浪涌電流（IFSM/A）可以達到90安培，適合應用于需要承受短時電流沖擊的場合，如高性能電源管理解決方案或精密控制電路中。
