HIDK10G120C5_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流IO:10A 參數2：電壓VR:1200V 參數3：壓降VF:1.4V 參數4：反向電流IR:100uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管設計有10安培的正向電流（IF/A），并能承受高達1200伏特的反向電壓（VR/V），適用于需要堅固電氣性能的應用場景。其正向電壓降（VF/V）為1.4伏特，有效降低了能量損失。在反向偏置條件下，漏電流（IR/uA）限制在100微安，體現了出色的絕緣特性。此外，此元件支持最高90安培的瞬態正向浪涌電流（IFSM/A），能夠在復雜的工作環境中提供可靠的過流保護。這些技術規格使其成為構建高性能電力轉換系統及其他對效率與穩定性有要求的解決方案的理想選擇。
