HFFSD0665B_TO-252-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流IO:6A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管具有6安培的最大正向電流（IF/A）和650伏特的反向擊穿電壓（VR/V），能夠在高壓環境下穩定工作。其正向電壓降（VF/V）僅為1.3伏特，在大電流通過時能保持較低的能量損耗。此外，該二極管擁有微安級別的反向漏電流（IR/uA：50），表明其在阻斷狀態下的電流泄露極小。瞬態條件下，峰值正向浪涌電流（IFSM/A）可達48安培，適用于需要處理瞬時高電流的應用場合。此元件適用于需要高效能與可靠性的電路設計中，尤其適合高頻開關及電源管理領域。
