NXPSC04650D6J_TO-252-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流IO:4A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管具有4A的正向電流（IF）和650V的反向擊穿電壓（VR），能夠在高功率密度設計中提供可靠的性能。其正向電壓降（VF）僅為1.3V，在大電流工作條件下能有效降低功耗。反向漏電流（IR）控制在50微安，在非導通狀態下確保了低功耗。瞬態正向浪涌電流（IFSM）可達36A，適用于需要承受短時電流峰值的應用環境。此二極管的特性使其成為需要高效能和穩定性的電路設計中的理想選擇。
