STPSC12065G2-TR_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流IO:12A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款碳化硅二極管提供12安培的最大正向電流（IF），并且能夠承受高達650伏特的反向電壓（VR）。其正向電壓（VF）為1.3伏特，有助于減少導通時的功率損失。在反向偏壓下，漏電流（IR）維持在50微安以下，表明其擁有較好的絕緣特性。瞬態正向最大電流（IFSM）可達90安培，表明它能夠在短時間內處理較大的電流波動。這些特性使其成為高頻開關及需要堅固耐用性能的電路設計中的理想選擇。
