IDH08G65C5XKSA2_TO-220H-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220H-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：50/管裝 參數1：電流IO:8A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管具備8A的最大正向電流（IF/A），能夠承受高達650V的反向電壓（VR/V），適合用于高壓環境中的電路設計。其正向電壓（VF/V）為1.3V，在確保導通的同時降低了能量損失。反向漏電流（IR/uA）為50μA，顯示了其優秀的阻斷性能。此外，該二極管能承受最高64A的瞬時正向浪涌電流（IFSM/A），這使得它在應對短時電流峰值方面表現優異。這些特性使其成為高頻開關電源和精密電源管理系統中的理想選擇，有助于提升整體系統的效率與可靠性。
