SIR668DP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:120A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:3.6mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管具有100V的漏源擊穿電壓（VDSS）和120A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）為3.6mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升整體能效。其低電阻特性在高電流工作條件下可減少發(fā)熱，改善熱管理。適用于大功率電源轉(zhuǎn)換、高效率直流-直流變換器、電池管理系統(tǒng)及高電流開關(guān)電路。器件性能滿足對功率密度和穩(wěn)定性要求較高的應(yīng)用需求，適合用于需要可靠控制和高效能量傳輸?shù)碾娮酉到y(tǒng)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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