IAUC100N10S5N040-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:120A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:3.6mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有100V的漏源電壓（VDSS）和120A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至3.6mΩ，在高電流開關應用中可有效降低導通損耗。其低RDON特性有助于提升系統效率，減少散熱需求，適用于對功率密度和能效要求較高的直流電源轉換、大電流負載開關及高性能數字電源等場景。器件參數符合主流同步整流與電池管理系統的性能需求，是處理大電流脈沖和持續負載的理想選擇之一。
