NTMFS5C646NLT3G-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:3.7mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管具有60V的漏源電壓（VDSS）和100A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻低至3.7mΩ，有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。其低RDON特性使其在大電流開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，適用于需要高效能電源管理的設(shè)備。該器件適合用于直流-直流轉(zhuǎn)換、高密度電源模塊以及電池供電系統(tǒng)中的功率控制，能夠滿足對(duì)能效和散熱性能有較高要求的電路設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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