NX6008NBKR-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.3A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:1900mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備60V的漏源電壓（VDSS）和0.3A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻為1900mΩ，適用于低電流開關場景。其較高的導通電阻適合在小功率電路中實現精確的電流控制與通斷功能。器件工作穩定，開關響應良好，可廣泛用于便攜式設備電源管理、小型電子裝置的信號切換、電池供電電路的負載控制以及各類低功耗嵌入式系統中，滿足對空間占用和能耗敏感的應用需求，為小型化電子設計提供基礎支持。
