SQJ850EP-T1_GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:20mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有60V漏源電壓（VDSS）和30A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻為20mΩ，適用于中等功率開關應用。器件具備良好的柵極控制特性和開關響應速度，有助于降低開關損耗，提升系統能效。采用標準封裝，利于散熱與電路集成，適合用于電源管理模塊、電池供電系統、直流電機驅動及各類功率調節電路。其性能表現滿足多種電子設備對穩定性和效率的需求，適用于對空間與功耗有兼顧要求的設計方案。
