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ISZ0702NLSATMA1-HXY_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤(pán) 參數(shù)1:電流ID:100A 參數(shù)2:電壓VDSS:60V 參數(shù)3:RDON:4mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管具備60V漏源擊穿電壓(VDSS)和100A連續(xù)漏極電流(ID)能力,導(dǎo)通電阻典型值為4mΩ。低RDON特性可有效降低導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)能效,適用于高電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其高功率密度設(shè)計(jì)支持快速開(kāi)關(guān)響應(yīng),有助于減少能量損耗和發(fā)熱。該器件可應(yīng)用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換電路、大電流電源開(kāi)關(guān)、電池管理系統(tǒng)中的功率控制,以及對(duì)空間和效率要求較高的緊湊型電子設(shè)備中,作為核心開(kāi)關(guān)元件實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的功率調(diào)節(jié)。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

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