AON6384-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:90A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有30V漏源電壓（VDSS）和90A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至3mΩ，具備優異的導通性能和較低的功率損耗。其低RDSON特性有助于提升系統效率，減少散熱需求，適用于高密度電源設計。典型應用包括大電流開關電路、高效DC-DC轉換模塊、電池管理系統、便攜式高功率設備中的電機驅動與電源控制，適合對能效和熱管理有較高要求的電子產品。
