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ISC037N03L5ISATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:90A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:3mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具有30V的漏源電壓(VDSS)和高達90A的持續(xù)漏極電流(ID)能力,適用于高電流開關場景。其導通電阻低至3mΩ,在大電流工作條件下可有效降低導通損耗,減少發(fā)熱。器件采用先進工藝制造,具備良好的熱穩(wěn)定性和開關特性,適合用于高效率直流-直流轉換、電源管理系統(tǒng)及負載開關電路中。緊湊的封裝設計有助于節(jié)省電路板空間,適用于對功率密度要求較高的應用場合。

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