DMP3099LQ-7-HXY_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4.2A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:45mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該P(yáng)溝道場效應(yīng)管額定漏源電壓為30V，連續(xù)漏極電流為4.2A，導(dǎo)通電阻為45mΩ，適用于低功率開關(guān)與電源控制場合。其P溝道結(jié)構(gòu)便于用于高邊開關(guān)配置，簡化驅(qū)動電路設(shè)計(jì)。器件具備良好的開關(guān)特性和熱穩(wěn)定性，可在較小封裝下實(shí)現(xiàn)可靠的電流控制。典型應(yīng)用包括小型電子設(shè)備的電源管理、電池供電系統(tǒng)的通斷控制、電壓轉(zhuǎn)換電路中的同步整流及各類對空間和能效有一定要求的便攜式電子產(chǎn)品，適合需要中等電流承載能力的直流開關(guān)場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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