PMV75UP-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:3A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:75mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管額定漏源電壓（VDSS）為20V，連續(xù)漏極電流（ID）可達3A，適用于低電壓開關應用。其導通電阻典型值為75mΩ，在低電流負載條件下可有效控制導通損耗，提升系統(tǒng)能效。P溝道結構便于實現高邊開關的柵極驅動，簡化外圍電路設計。常用于電池供電的便攜式設備中，如電源路徑切換、負載開關控制、充電管理電路及直流輸入的反向電壓保護等場景，適合對尺寸和功耗敏感的消費類電子產品與嵌入式應用。
