UF3C120080K3S-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:36A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），采用高純度碳化硅材料，具備優異的耐高壓與熱導性能。其漏源導通電阻（RDON）為80毫歐，能在高頻率與高電壓環境下實現較低的導通損耗，提升整體能效。額定漏極電流（ID）為36A，適用于高功率密度電源系統。該器件具備快速開關特性與良好的穩定性，可廣泛應用于高效電源變換、新能源發電設備及高頻電力電子裝置，為復雜應用場景下的電力系統提供堅實的技術支持。
