C3M0160120D-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:19A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），具備良好的導(dǎo)通特性和開關(guān)表現(xiàn)。其最大連續(xù)漏極電流ID為19A，漏源導(dǎo)通電阻RDON為160mΩ，能夠在高電壓環(huán)境下實現(xiàn)較為高效的電能傳輸。碳化硅材料的使用賦予器件高耐壓能力、優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和較低的開關(guān)損耗，適用于對效率和可靠性有較高要求的電力電子系統(tǒng)。該器件可應(yīng)用于高效能電源轉(zhuǎn)換裝置、新能源發(fā)電系統(tǒng)以及智能電力控制設(shè)備中，為復(fù)雜電路提供穩(wěn)定、耐用的電子解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
