H2N7002SDW1T1G_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.115A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:1.3mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道增強型MOSFET具有115mA的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(on)）低至1.3mΩ，有助于減少功率損耗并提升轉換效率。柵源額定電壓為±20V（VGS），具備較高的驅動兼容性與穩定性。器件適用于中低電流、高效率的開關電源、DC-DC變換電路及負載開關設計。其低導通電阻與良好的熱穩定性使其在便攜式設備、小型電源適配器及電池供電系統中表現出良好的性能，適合對能效和空間布局有要求的通用電子應用。
