BSL215CH6327-HXY_SOT-23-6L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-6L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:25mR 參數4：溝道類型:N+P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該MOSFET為N溝道與P溝道組合的場效應管，適用于雙向開關或互補驅動電路。N溝道部分具有20V的漏源擊穿電壓（VDSS），連續漏極電流（ID）可達5A，導通電阻（RDSON）低至25mΩ，有助于降低導通損耗，提升能效。柵源電壓（VGS）最大為12V，適合標準電平驅動。器件可用于電源切換、電池供電設備中的負載控制、H橋驅動及同步整流等應用，適用于對導通電阻和空間布局有要求的便攜式電子產品與通用電路設計，支持高效、緊湊的功率管理方案。
