SICW1000N170A-HXY_TO-3PF_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:1700V 參數3：RDON:800mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款N溝道碳化硅（SiC）場效應管，具有1700V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于高電壓工作環境。其連續漏極電流（ID）為5A，導通電阻（RDON）為800mΩ，有助于減少導通損耗，提升系統能效。柵源電壓范圍為±22V，支持穩定可靠的柵極控制?；谔蓟璨牧系奶匦?，該器件具備優異的開關速度和高溫耐受能力，適用于高頻開關電源、高壓直流變換器、光伏逆變裝置及高功率密度電源系統等對效率與熱性能要求較高的應用場合。
