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SICW1000N170Y-HXY_TO-3PF_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-3PF 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:5A 參數2:電壓VDSS:1700V 參數3:RDON:800mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢

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該N溝道碳化硅場效應管具備1700V的高阻斷電壓和5A的連續漏極電流能力,導通電阻典型值為800mΩ,可承受最高22V的柵源電壓。基于碳化硅材料特性,器件具有優異的耐壓能力和高溫工作穩定性,開關速度快,開關損耗低。適用于高效率、高頻率的電力轉換場合,如高壓直流變換、大功率開關電源、可再生能源逆變系統及儲能裝置中的功率調節模塊,能夠滿足對功率密度和系統效率有嚴苛要求的場景。

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