C3M0900170M-HXY_TO-3PF_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:1700V 參數3：RDON:800mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款N溝道增強型功率MOSFET，具有1700V的高漏源擊穿電壓（VDSS），支持5A連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為800mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統能效。柵源電壓范圍為±22V，具備較強的驅動適應性與柵極可靠性。該器件適用于高電壓開關電源、高壓直流變換、逆變電路及功率調節裝置，可在高電磁干擾環境下穩定工作，適用于對耐壓能力與導通性能有要求的功率轉換應用，滿足多種高壓場景下的電能控制需求。
