SCT3022KLGC11-HXY_TO-247_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:81A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有優異的電氣性能，適用于多種高要求的電子設備。其主要參數包括：最大漏極電流（ID）為81A，漏源擊穿電壓（VDSS）高達1200V，導通電阻（RDON）低至21mΩ，能夠有效降低功率損耗并提升系統效率。該器件采用先進工藝制造，具備良好的熱穩定性和耐久性，適用于電源轉換、電機控制、儲能系統及高性能計算設備中的開關電路設計。封裝形式可根據具體需求進行選擇，以滿足不同應用場景下的散熱與空間限制要求。
