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NVMFS5C673NLWFAFT3G-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:65A 參數(shù)2:電壓VDSS:60V 參數(shù)3:RDON:8mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具有優(yōu)異的導(dǎo)通性能和高效能表現(xiàn),適用于多種高要求電路設(shè)計(jì)。其主要參數(shù)包括:漏極電流ID為65A,漏源電壓VDSS為60V,導(dǎo)通電阻RDON低至8mΩ,可實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與低功耗運(yùn)行。器件采用先進(jìn)工藝制造,具備良好的熱穩(wěn)定性和耐壓能力,適合應(yīng)用于電源管理、高效能轉(zhuǎn)換器及負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)景,為復(fù)雜電路提供可靠支持。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話:18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014