RD3P100SNFRATL-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:15A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:100mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道場效應管（MOSFET），具備15A的最大漏極電流ID和100V的漏源擊穿電壓VDSS，適用于多種中高壓功率應用場合。導通電阻RDON為100mΩ，有助于降低導通損耗，提升整體效率。器件采用穩定可靠的制造工藝，具有良好的熱性能與耐久性，適合用于電源轉換、開關控制、電池管理系統及消費類電子設備中的功率切換場景。其參數特性可滿足多數常規功率設計需求，適用于廣泛領域的電路設計方案。
