IRF7809AVTRPBF-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:15A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有以下主要參數：最大漏極電流ID為15A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導通電阻RDON為7.5mΩ。較低的導通電阻使其在導通狀態下損耗更小，效率更高，適用于需要高效能功率管理的電路設計。該器件常用于電源轉換、負載開關、電池管理系統以及各類高密度電子設備中，滿足對小型化與高性能有要求的設計場景。
