NVMFS5C670NLAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:5.3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），適用于高效率、高密度電源系統設計。其主要參數包括：最大漏極電流ID為80A，漏源耐壓VDSS為60V，導通電阻RDON低至5.3mΩ，支持高電流能力與低損耗運行。器件具備良好的熱穩定性和耐用性，適合用于同步整流、功率開關、DC-DC變換器及儲能管理系統等應用場景。該MOSFET在高頻工作條件下表現出色，有助于提升整體系統效率和響應速度，滿足多樣化電子設備對功率控制的嚴苛要求。
