BSC096N10LS5ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:75A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），具有較高的電流承載能力，持續漏極電流ID可達75A，漏源電壓VDSS為100V，確保在中高功率應用中的穩定性。導通電阻RD(on)低至6.4mΩ，可有效降低導通損耗，提高系統效率。適用于電源管理、開關電路、負載控制及高性能電子設備中，滿足對能效和散熱要求較高的場景。器件采用標準封裝形式，便于集成與量產，是一款性能均衡的通用型MOSFET。
