INN700TK190C_TO-252-2L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/盤 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:700V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT），屬于N溝道增強(qiáng)型器件，具備高耐壓與低導(dǎo)通損耗特性。主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為10A，漏源擊穿電壓VDSS為700V，導(dǎo)通電阻RDON為160mΩ，支持高頻開(kāi)關(guān)與高效功率轉(zhuǎn)換。適用于消費(fèi)類電源適配器、無(wú)線充電系統(tǒng)、LED照明驅(qū)動(dòng)及通信基礎(chǔ)設(shè)施中的高效能電源模塊，助力實(shí)現(xiàn)更高效率與更小體積的電路設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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