INN700TK190B_TO-252-2L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:700V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本產品為氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT），采用N溝道結構設計，具備優異的高頻與高效能特性。主要參數包括：漏極電流ID為10A，漏源耐壓VDSS達700V，導通電阻RDON為160mΩ，支持快速開關與低損耗運行。適用于高功率密度電源轉換系統、消費類快充設備、射頻功率放大器及高效率直流變換器等應用場景，滿足對小型化與高性能并重的設計需求。
